Технологическая платформа (ТП) «Развитие российских светодиодных технологий» была создана в соответствии с Протоколом президиума Правительственной комиссии по инновациям от 3 марта 2011 года.
Целью функционирования Платформы является развитие в России нового направления промышленности, основанного на нанотехнологиях: массового производства светодиодов и светотехнических устройств на их основе. Развитие светодиодной промышленности обеспечит сохранения за Россией приоритета в части данной технологии, создание новой экспортно-ориентированной отрасли, значительную экономию электроэнергии, а также ресурсов, являющихся топливом при выработке электроэнергии.
Повсеместное применение светодиодного освещения обеспечит радикальное сокращение затрат электроэнергии на освещение. Только экономия на создании электрических мощностей составит не менее 124 млрд. рублей и сэкономит более 2,5 ГВт электроэнергии. Одновременно будет обеспечена экономия невозобновляемых природных ресурсов, являющихся топливом при выработке электроэнергии, уменьшение нагрузки на энергогенерирующие станции, сокращение выбросов CO2 в атмосферу. При этом освобождающиеся энергетические мощности можно будет либо использовать в других областях экономики, либо экспортировать.
Отдельно необходимо упомянуть про ожидаемое резкое снижение затрат на сопутствующую инфраструктуру электроэнергетики в связи с резким (до 10 раз) снижением требований к потребляемой мощности при равном количестве света.
Задачами технологической платформы являются:
· Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей;
· Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения;
· Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения;
· Объединение усилий органов государственной власти, научных и производственных учреждений для обеспечения технологической, правовой, финансовой, административной и информационной основы развития светодиодной промышленности;
· Развитие спроса на светодиодные технологии и формирование цивилизованного рынка;
· Наращивание объемов экспорта светодиодной продукции.
В технологической платформе зарегистрировалось 30 организаций, из них:
Научные организации (ВУЗы и НИИ)- 13 участников
Производители светодиодов и светотехники- 10 участников
Таблица 1. Иные организации (сокоординаторы, НП, коммерческие организации)
|
№ п/п |
Название организации |
Адрес |
Контактное лицо |
|
1 |
ОАО «РОСНАНО» |
117036, г. Москва, пр-т 60-летия Октября, 10А |
Поликарпов Сергей Сергеевич, управляющий директор |
|
2 |
ОАО «Российская электроника» |
127299, г. Москва, ул. Космонавта Волкова, д. 12 |
Старцев Сергей Анатольевич |
|
3 |
ООО «Световые Технологии» |
127273, г. Москва, ул. Отрадная, 2Б, стр. 2 |
Аникин Алексей Петрович, руководитель направления «светодиодное освещение» |
|
4 |
Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. Академика Е.И. Забабахина |
456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13, а. я. 245. |
Водолага Борис Константинович, заместитель директора |
|
5 |
ОАО «Альметьевский завод «Радиоприбор» |
423400, Россия, Татарстан, г. Альметьевск, пр-т. Строителей, 2 |
Гульков Владимир Викторович, заместитель генерального директора по развитию и инвестициям |
|
6 |
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В.И. Ульянова |
197376, Санкт-Петербург, улица Профессора Попова, дом 5 |
Зубков Василий Иванович, д.ф-м.н., профессор кафедры микроэлектроники |
|
7 |
ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника» |
194156, Санкт-Петербург, пр. Энгельса, дом 27 |
Заместитель генерального директора по научной и проектной работе |
|
8 |
ЗАО «Оптоган» |
198205 Санкт-Петербург, Таллинское шоссе, д.206 |
Лысенков Илья Сергеевич, начальник отдела программ инновационного развития |
|
9 |
ООО «Ната-Инфо» |
424007, Россия, Республика Марий Эл, г. Йошкар-Ола, ул. Прохорова, 28 |
Максимов Владимир Валентинович |
|
10 |
ООО «Люмина» |
623281, Россия, Свердловская область, г. Ревда, ул. Некрасова, д.111 |
Маханов Алексей Александрович |
|
11 |
ООО «Филипс» |
119048 Москва, ул. Усачева, д. 35 |
Сябренко Елена Михайловна, директор по стратегии и развитию бизнеса |
|
12 |
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН |
194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26 |
Устинов Виктор Михайлович, заместитель директора |
|
13 |
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики |
197101, Санкт-Петербург, пр. Кронверкский, д.49. |
Толстикова Анна Александровна, начальник отдела по работе с технологическими платформами |
|
14 |
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники |
634050, г. Томск, пр. Ленина, 40 |
Авдзейко Владимир Игоревич, заместитель начальника научного управления |
|
15 |
ОАО ЦНИИ «Циклон» |
107497 Москва, Щелковское шоссе, 77 |
Солодков Алексей Аркадьевич |
|
16 |
ОАО «Плазма» (НИИ газоразрядных приборов) |
390023, Россия, г. Рязань |
Кукса Александр Анатольевич |
|
17 |
ФГУП «Государственный завод «Пульсар» |
105187, Москва, Окружной проезд, д. 27 |
Рахмилевич Рафаил Борисович |
|
18 |
ФГУП «НИИ вакуумной техники им С.А. Векшинского» |
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7. |
Калачев Эдуард Владимирович |
|
19 |
ФГОУ ВПО «Мордовский государственный университет имени Огарева» |
430005 Республика Мордовия, г. Саранск, ул. Б. Хмельницкого д. 39, к. 307 |
Ашрятов Альберт Аббясович |
|
20 |
ФГОУ ВПО «Дальневосточный Федеральный университет» |
690950, г. Владивосток, ул. Суханова д. 8 |
Пастухов Павел Олегович |
|
21 |
НП Производителей светодиодов и систем на их основе |
194135, Санкт-Петербург, пр. Энгельса, дом 27 |
Долин Евгений Владимирович |
|
22 |
ПО «Электроточприбор» |
Россия, 644042, г. Омск, пр. К. Маркса, 18 |
|
|
23 |
ОАО «Электровыпрямитель» |
430001, Россия, Мордовия, |
Елисеев Вячеслав Васильевич |
|
24 |
Российский химико-технологический университет им. Менделееева |
125047, Москва, пл. Миусская, 9 |
Гордеев Михаил, помощник ректора |
|
26. |
ООО «Оптоган. Новые технологии света» |
198025, г. Санкт-Петербург, Старо-Паново, Таллинское шоссе д.206 |
Краузе Юлия Аркадьевна |
|
26. |
ООО «Совершенные кристаллы» |
198025, г. Санкт-Петербург, Старо-Паново, Таллинское шоссе д.206 |
Николаев Владимир Иванович |
|
27. |
ГИРЕДМЕТ |
119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д.5 |
Пархоменко Юрий Николаевич |
|
29. |
Томский государственный университет |
634050, г. Томск, пр. Ленина, 36 |
Маковеева Виктория Владимировна |
|
30. |
ОАО «Миасский машиностроительный завод» |
456320, Челябинская область, Миасс, Тургоякское шоссе, 1 |
Трифонов Н.Н. |
Создание организационной структуры технологической платформы
Председателем технологической платформы является С.С. Поликарпов. Согласно распоряжению координатора технологической платформы № 10/1-Р от 1 марта 2012 года, также были созданы органы управления технологической платформой «Развитие российских светодиодных технологий»:
Разработка стратегической программы исследований.
- Сформированы предложения по 6 тематикам исследований в рамках ФЦП «Исследования и разработки»;
- Рассмотрены все обращения Минэкономразвития и проанализированы все предложения по включению тематик технологической платформы в проекты государственных программ.
1) «Разработка ап- и даун-конвертеров инфракрасного и ультрафиолетового излучения на основе наностеклокерамик для повышения эффективности солнечных батарей».
2) «Новые неорганические люминофоры на основе стекол и наностеклокерамик для энергоэффективных светодиодных источников белого света».
3) «Энергоэффективные люминофоры на основе наноструктурированных неорганических материалов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов, для светодиодов белого света».
Была проведена работа по сбору и рассмотрению предложений участников ТП на формирование заявок на проведение исследований в области светодиодных технологий в рамках ФЦП «Исследования и разработки».
ТП направила в адрес Министерства образования и науки РФ 6 заявок на формирование тематики исследований, на основе которых был объявлен лот «Выполнение поисковых научно-исследовательских работ по теме: «Исследование и разработка перспективных материалов для энергосберегающих светодиодных технологий». На данный лот было подано 23 заявки от ведущих ВУЗов и научных центров страны.
Это говорит об очень высоком интересе научного сообщества к светодиодной тематике. Основной привлекательной чертой светодиодной технологии является принципиально более высокий по сравнению с альтернативами уровень светоотдачи, что способно привести к целому ряду экономических и социальных эффектов, важнейший из которых – радикальное сокращение затрат электроэнергии на освещение, составляющих по различным оценкам до 18-20% всех затрат произведенной электроэнергии
Таблица 2. Тематический план работ и проектов ТП «Развитие российских светодиодных технологий» в сфере исследований и разработок
|
№ п/п |
Наименование и цель проекта |
Этапы и сроки реализации проекта, |
Задачи проекта (этапа) |
Ожидаемые результаты |
Вклад в решение задач ТП |
|
|
1 |
Белые светодиоды на основе синих светодиодных кристаллов с люминофорными покрытиями: улучшение характеристик белых светодиодов и снижение их стоимости. |
Этап 1 до 2015 года
|
Разработка дизайна эпитаксиальных структур и режимов эпитаксиального роста. |
Технологии, позволяющие выращивать эпитаксиальные слои GaN и гетероструктуры InGaN/GaN или AlGaN/GaN на сапфировых подложках с особо низким количеством ростовых дефектов (дислокаций) и низким уровнем внутренних механических напряжений. Технологии создания гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами AlGaN/InGaN/GaN. |
Создание на современном уровне технологической основы отрасли по производству светодиодной продукции. Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения. Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения. |
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Разработка технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на сапфировых подложках большого диаметра (6-8 дюймов). |
То же на подложках большего диаметра. |
||||
|
Этап 3 до 2015 года |
Разработка новых решений, позволяющих повысить эффективность отвода тепла от светоизлучающего кристалла. |
Конструкции светодиодов с повышенной эффективностью, КПД и рабочей плотностью тока. |
||||
|
Этап 4 до 2015 года |
Разработка методов увеличения вывода света из светодиода. Включает в себя: – изготовление профилированных подложек сапфира и эпитаксиальный рост светодиодных структур на профилированных подложках; – разработку методов отделения подложки сапфира и изготовление светодиодов; – применение технологии фотонных кристаллов. |
Методы увеличения вывода света из светодиода на основе профилирования подложек и эпитаксиального роста на них с дальнейшим отделением подложки для повторного использования. |
||||
|
Этап 5 до 2015 года |
Разработка люминофоров с улучшенной эффективностью и спектральными характеристиками. |
Рецептура и технология производства люминофоров. |
||||
|
|
|
Этап 6 до 2015 года. |
Технология выращивания светодиодных эпитаксиальных структур на полярных и полуполярных подложках, приготовленных из объемного GaN. |
Минимизация или полное исключение падения эффективности излучения с ростом плотности инжекционного тока вплоть до значений, превышающих 100 А/см2. Технология изготовления светодиодов с большой эффективностью при больших плотностях рабочего тока. |
|
|
|
2 |
Гибридные многокристальные белые светодиоды (RGB, RGAB, RGBW): улучшение качества белого цвета и управление цветовыми характеристиками. |
Этап 1 до 2015 года |
Разработка технологии светодиодов желто-зеленого диапазона длин волн (540-580 нм), отсутствующих в настоящее время на рынке. |
Технология производства светодиодов желто-зеленого диапазона длин волн (540-580 нм). |
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения. Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения. |
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Разработка технологии эпитаксиального роста красных светодиодов (600-700 нм) на основе системы материалов AlInGaP, не выпускаемых на территории РФ. |
Технология эпитаксиального роста красных светодиодов (600-700 нм) на основе системы материалов AlInGaP. |
||||
|
Этап 3 до 2015 года |
Разработка технологии эпитаксиального роста красных светодиодов (600-620 нм) на основе III-N соединений, не существующих в мире. |
Технология эпитаксиального роста красных светодиодов (600-620 нм) на основе III-N соединений. |
||||
|
Этап 4 до 2015 года |
Разработка дизайна и технологии сборки многокристальных гибридных светодиодов с эффективным смешением цветов, выводом излучения и отводом тепла. |
Технология сборки многокристальных гибридных светодиодов. |
||||
|
3 |
Монолитные и монолитно-гибридные белые светодиоды (светодиоды, в которых кристаллы излучают более чем на одной длине волны): улучшение качества белого цвета и управление цветовыми характеристиками. |
Этап 1 до 2015 года |
Разработка дизайна и технологии эпитаксиального роста монолитных светодиодных структур на основе III-N соединений для светодиодов белого света, содержащих 2-4 слоя InGaN, излучающих при различных длинах волн и образующих при смешении белый свет. |
Технология эпитаксиального роста монолитных светодиодных структур на основе III-N соединений для безлюминофорных светодиодов белого света. |
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения.
Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения. |
|
|
Этап 2 до 2015 года
|
Разработка дизайна и технологии эпитаксиального роста светодиодных структур для монолитно-гибридных источников белого света, содержащих 2-4 слоя InGaN, излучающих при различных длинах волн, и образующих белый свет при смешении со светом, излучаемым другими кристаллами или люминофорами. |
Технология эпитаксиального роста монолитных светодиодных структур для монолитно-гибридных источников белого света на основе III-N соединений, образующих белый свет при смешении со светом, излучаемым другими кристаллами или люминофорами. |
||||
|
Этап 3 до 2015 года |
Разработка управляемых монолитных источников белого света с изменяемыми цветовыми характеристиками. |
Технология производства управляемых монолитных источников белого света с изменяемыми цветовыми характеристиками. |
||||
|
4 |
Интегрированные светодиодные модули для энергосберегающих профессиональных осветительных систем. |
Этап 1 до 2015 года |
Разработка систем по технологии chip-on-board.
|
Технология производства высокоэффективных интегрированных светодиодных матричных модулей, реализованных по принципу «чип-на-плате», предназначенных для создания энергосберегающих осветительных систем нового поколения. |
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения. Коммерциализация нового продукта. |
|
|
5 |
Разработка полупроводниковых нитридных технологий на кремниевой подложке для приборов оптоэлектроники и микроэлектроники. Разработка технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках: снижение стоимости изделий и возможность интеграции с микроэлектронными чипами. |
Этап 1 до 2015 года |
Разработка технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках. |
Технология эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках. |
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения. Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения. |
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Разработка технологии химического отделения светодиодной структуры от кремниевой подложки с последующим матированием для повышения эффективности вывода света. |
Технология химического отделения светодиодной структуры от кремниевой подложки. |
|
|||
|
Этап 3 до 2015 года |
Разработка технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках большого диаметра (6-8 дюймов) и последующего химического отделения подложек. |
Технология эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках большого диаметра (6-8 дюймов) и последующего химического отделения подложек. |
|
|||
|
6 |
Создание отечественного эпитаксиального оборудования для эпитаксиального выращивания III-N материалов. |
Этап 1 до 2015 года |
Создание линейки учебного, лабораторного и промышленного эпитаксиального оборудования, объединенного общими приемами работы и переносимостью технологии. |
Конструкторская и технологическая документация на оборудование. Опытные действующие установки. |
Экспортозамещение дорогостоящего высокотехнологичного оборудования. |
|
|
7 |
Светодиодные решения для медицинских применений. Разработка светодиодов ультрафиолетового диапазона: экология, очистка воды и т.д. |
Этап 1 до 2015 года |
Разработка дизайна и технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений для диапазона длин волн 250-300 нм |
Технология эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений для диапазона длин волн 250-300 нм. |
Развитие спроса на светодиодные технологии
Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей. |
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Разработка конструкции чипа светодиода. |
Чертежи и опытные образцы чипов. |
|
|||
|
Этап 3 до 2015 года |
Разработка конструкции и технологии корпусирования ультрафиолетовых светодиодов и светодиодных матриц. |
Технология корпусирования ультрафиолетовых светодиодов и светодиодных матриц. |
|
|||
|
8 |
Электроника и оптоэлектроника на основе органических материалов. |
Этап 1 до 2015 года |
Разработка архитектуры, при которой внешний квантовый выход структуры был бы максимальным при малом напряжении питания, достаточном сроке службы и стабильном белом свете. |
Лабораторный образец со светоотдачей минимально 50 лм/Вт |
Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей.
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения.
|
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Разработка материалов, обладающих высокой внутренней квантовой эффективностью, низким напряжением питания и позволяющих увеличить срок службы устройства. |
Рецептура и технология производства обладающих высокой внутренней квантовой эффективностью, низким напряжением питания материалов. |
|
|||
|
Этап 3 до 2015 года |
Разработка методов и программ имитационного моделирования работы OLED с учетом свойств материалов, особенностей архитектуры и работы OLED. |
Программы имитационного моделирования работы OLED. |
|
|||
|
Этап 4 до 2015 года |
Исследование надежности методами моделирования, а также оптимизация температурных характеристик материалов. Изучение причин отказов на уровне устройств. |
Разработки термо- и влагоустойчивых материалов и устройств для OLED. |
|
|||
|
Этап 5 до 2015 года |
Разработка подложек, не пропускающий влагу и кислород. Другие требуемые качества: технологичность и эксплуатационная стабильность, малые вес, стоимость, хорошие оптические свойства и гибкость. |
Технология герметизации OLED. |
|
|||
|
Этап 6 до 2015 года |
Разработка новых материалов для электродов. Разработка новых прозрачных электродов с низким удельным сопротивлением более низкой стоимости при возможности массового производства. |
Рецептура и технология прозрачных электродов. |
|
|||
|
Этап 7 до 2015 года |
Разработка новых практических методов для нанесения органических материалов, изготовления устройств, или герметизации |
Изготовление образца панели на основе интегрированных технологий производства и с возможностью создания панелей большой площади. |
|
|||
|
Этап 8 до 2015 года |
Разработка методов определения качества различных материалов и изучение взаимосвязи между качеством материалов и характеристиками OLED-прибора. |
Методы контроля качества материалов для производства OLED. |
|
|||
|
Этап 9 до 2015 года |
Разработка методов оптимизации светильника, проверки его надежности и ускоренных методов тестирования срока службы. |
Методы оценки надежности и ускоренного старения OLED светильников. |
|
|||
|
9 |
Разработка светодиодных светильников и систем управления. |
Этап 1 до 2015 года |
Интеллектуальные системы управления светодиодным освещением. |
Технология промышленного производства и массовое внедрение простых и доступных систем интеллектуального управления внутренним освещением. |
Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей.
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения. |
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Технологии производства светодиодных ламп замещения для массовых применений |
Создание общедоступных по цене, максимально эффективных и безотказных светодиодных ламп замещения на основе прорывных научных исследований. Качественный переход от отдельного светодиода (LED) к полностью интегрированной интеллектуальной осветительной схеме (ISLC – Integrated Smart LED Circuit). |
|
|||
|
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Разработка новых ресурсосберегающих светодиодных технологий для использования в растениеводстве в защищенном грунте. |
Разработка новых ресурсосберегающих светодиодных технологий для использования в растениеводстве в защищенном грунте. |
Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей. Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения. |
|
|
10 |
Исследования влияния новых источников света на организм человека. |
Этап 1 до 2015 года |
Оценка фотобиологической безопасности органических и неорганических светодиодных источников света для организма человека для различных возрастных групп. |
Методы оценки фотобиологической безопасности органических и неорганических светодиодных источников света для организма человека. Предложения по корректировке действующих нормативных документов. |
Развитие спроса на светодиодные технологии. Объединение усилий органов государственной власти, научных и производственных учреждений для обеспечения технологической, правовой, финансовой, административной и информационной основы развития светодиодной промышленности. |
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Определение обоснованных норм освещенности, пульсаций, спектрального состава и блесткости для различных возрастных групп. |
Методы оценки качества освещения различных помещений и объектов. Предложения по корректировке действующих нормативных документов. |
|
|||
Развитие механизмов регулирования и саморегулирования.
В отрасли успешно функционирует и развивается Некоммерческое партнерство Производителей светодиодов и систем на их основе (НП ПСС). В настоящий момент в него входят 14 крупнейших производителей. В Партнерстве создан и ведет большую работу Комитет по стандартизации. Готовятся документы по созданию Системы добровольной сертификации светодиодной продукции. Партнерство актуализирует материалы Дорожной карты отрасли. Партнерство создает систему по мониторингу рынка светодиодных технологий на регулярной основе.
НП ПСС вступило в Технологическую платформу ОАО Роснано «Применение инновационных технологий для повышения эффективности строительства, содержания и безопасности автомобильных и железных дорог» и организовало кроссплатформенное взаимодействие для обеспечения внедрения светодиодного освещения, индикации и информационных средств на ЖТ и автодорогах.
В рамках этого взаимодействия ТП «Развитие российских светодиодных технологий» участвует в работе Рабочей группы ОАО РЖД по освещению. Проведен анализ нормативно правовой базы освещения ОАО РЖД и подготовлены рекомендации для ОАО РЖД и ФГУ «Главгосэкспертиза» по оценке проектов с использованием светодиодов.
ТП «Развитие российских светодиодных технологий» так же участвует в ФИИП «Инновационная дорога». Организована рабочая группа ФИИП по освещению. В состав группы вошли ведущие производители, головные проектные организации. Проведено два совещания, подготовлены предложения по внедрению инновационной продукции.
В конце 2012 года ТП «Развитие российских светодиодных технологий» вышло с инициативой в ТК 039 «Энергоэффективность, энергосбережение, энергоменеджмент» внесения в Программу развития национальных стандартов (ПРНС) разработку ГОСТ «Энергоэффективность и методы ее контроля для светодиодной продукции…»
Таблица 3. Результаты работы по стандартизации в 2012 году:
|
№ п/п |
Разработанные нормативы |
|
||
|
1. |
Вступил в силу с 01.01. 2011 ГОСТ 26824-2010 Здания и сооружения. Методы измерения яркости |
|
||
|
2. |
Вступил в силу 20.05.2011 СП 52.13330.2011. Свод правил. Естественное и искусственное освещение. Актуализированная редакция СНиП 23-05-95* |
|
||
|
3. |
Вступил в силу 01.07.2012 ГОСТ Р 54350-2011 Приборы осветительные. Светотехнические требования и методы испытаний Отменены с 01.07.2012 ГОСТ 6047-90 Прожекторы общего назначения. Общие технические условия, ГОСТ 7110-82 Светильники ручные. Общие технические условия, ГОСТ 8045-82 Светильники для наружного освещения. Общие технические условия, ГОСТ 8607-82 Светильники для освещения жилых и общественных помещений. Общие технические условия, ГОСТ 15597-82 Светильники для производственных зданий. Общие технические условия, ГОСТ 17677-82 Светильники. Общие технические условия |
|
||
|
4. |
Вступил в силу 01.07.2012 ГОСТ Р МЭК 60598-1-2011 Светильники. Часть 1. Общие требования и методы испытаний Взамен ГОСТ Р МЭК 60598-1-2003 |
|
||
|
5. |
Вступил в силу c 01.07.2012 ГОСТ Р МЭК 60838-2-2-2011 Патроны различные для ламп. Часть 2-2. Частные требования. Соединители для светодиодных модулей |
|
||
|
6. |
Вступил в силу c 01.07.2012 ГОСТ Р МЭК 61347-1-2011 Устройства управления лампами. Часть 1. Общие требования и требования безопасности |
|
||
|
7. |
Вступил в силу c 01.07.2012 ГОСТ Р МЭК 61347-2-13-2011 Устройства управления лампами. Часть 2-13. Частные требования к электронным устройствам управления, питаемым от источников постоянного или переменного тока, для светодиодных модулей |
|
||
|
8. |
Вступил в силу c 01.07.2012 ГОСТ Р МЭК 62384-2011 Устройства управления электронные, питаемые от источников постоянного или переменного тока, для светодиодных модулей. Рабочие характеристики |
|
||
|
9. |
Вступил в силу с 01.07.2012 ГОСТ Р 54814-2011 Светодиоды и светодиодные модули для общего освещения. Термины и определения |
|
||
|
10. |
Вступил в силу с 01.07.2012 ГОСТ Р МЭК 62560-2011 Лампы светодиодные со встроенным устройством управления для общего освещения на напряжения свыше 50 В. Требования безопасности |
|
||
|
11. |
Вступил в силу с 01.07.2012 ГОСТ Р 54815-2011/IEC/PAS 62612:2009 Лампы светодиодные со встроенным устройством управления для общего освещения на напряжения свыше 50 В. Эксплуатационные требования |
|
||
|
12. |
Вступил в силу с 01.01.2013 ГОСТ Р 54943-2012. Здания и сооружения. Метод определения показателя дискомфорта при искусственном освещении помещений |
|
||
|
13. |
Вступил в силу с 01.01.2013 ГОСТ Р 54945-2012. Здания и сооружения. Методы измерения коэффициента пульсации освещенности |
|
||
|
14. |
Вступил в силу с 01.01.2013 ГОСТ Р 54944-2012. Здания и сооружения. Методы измерения освещенности |
|
||
|
15. |
Вступил в силу С 01.01.2013 ГОСТ Р МЭК 60079-35-1-2011 Головные светильники для применения в шахтах опасных по рудничному газу. Часть 1. Общие требования и методы испытаний, относящиеся к риску взрыва |
|
||
|
|
Таблица 5 |
|||
|
|
Проекты |
|||
|
№ № п/п |
Наименование проекта |
Вид выполняемых работ |
Состояние
|
|
|
16. |
Санитарные Нормы искусственного освещения жилых и общественных зданий. |
Изменения и дополнения в СанПиН 2.2.1/2.1.1.2585-2010 Распространение области применения светодиодов на все типы помещений (детские, школьные, профтехобразования, больницы). |
Изменения, разрешающие применение СД в учреждениях среднего, начального профессионального образования, на утверждении |
|
|
17. |
Приборы осветительные и комплексы, осветительные установки. Термины и определения |
Разработка ГОСТ Р … (Взамен ГОСТ 16703-79 на территории РФ) |
Вторая редакция ВНИСИ |
|
|
18. |
Лампы бытовые. Показатели энергетической эффективности |
Разработка ГОСТ Р |
Вторая редакции НИИИС им. Лодыгина |
|
|
19. |
Лампы бытовые. Методы определения энергетической эффективности |
Разработка ГОСТ Р
|
Вторая редакции НИИИС им. Лодыгина |
|
|
20. |
ГСИ. Светодиоды. Методы измерения фотометрических характеристик. |
Разработка ГОСТ Р Частичное применение МС - EQV/NEQ CIE 127 (2007) |
Вторая редакция ФГУП ВНИИОФИ |
|
|
21. |
Источники света электрические. Термины и определения |
Разработка ГОСТ Р … (Взамен ГОСТ 15049-81 на территории РФ) |
Вторая редакция НИИИС им. Лодыгина |
|
|
22. |
Освещение наружное, функциональное. Часть 1. Классификация. |
Разработка ГОСТ Р … Прямое применение дополнения EQV EN 13201-1:2003 |
Вторая редакция ВНИСИ |
|
|
23. |
Освещение наружное, функциональное. Часть 2. Требования к характеристикам. |
Разработка ГОСТ Р … Прямое применение дополнения EQV EN 13201-2:2003 |
Вторая редакция ВНИСИ |
|
|
24. |
Освещение наружное, функциональное. Часть 3. Расчет осветительных установок |
Разработка ГОСТ Р … Прямое применение дополнения EQV EN 13201-3:2003 |
Вторая редакция ВНИСИ |
|
|
25. |
Освещение наружное, функциональное. Часть 4. Методы измерений светотехнических характеристик в осветительных установках |
Разработка ГОСТ Р … Прямое применение дополнения EQV EN 13201-4:2003 |
Вторая редакция ВНИСИ |
|
|
26. |
Свет и освещение. Освещение рабочих мест. Часть 1. Внутреннее освещение рабочих мест |
Разработка ГОСТ Р … Прямое применение дополнения EQV EN 12464-1:2002 |
Вторая редакция ВНИСИ |
|
|
27. |
Свет и освещение. Освещение рабочих мест. Часть 2. Наружное освещение рабочих мест |
Разработка ГОСТ Р … Прямое применение дополнения EQV EN 12464-2:2007 |
Вторая редакция ВНИСИ |
|
|
28. |
Приборы осветительные со светодиодными источниками света. Общие технические условия |
Разработка ГОСТ Р … |
Вторая редакция ВНИСИ |
|
|
29. |
Источники света электрические. Методы измерения спектральных и цветовых характеристик |
Разработка ГОСТ Р … (Взамен ГОСТ 23198-94 на территории РФ) |
Вторая редакция НИИИС им. Лодыгина |
|
|
30. |
Источники света электрические. Методы измерения световых и электрических параметров. |
Разработка ГОСТ Р (Взамен ГОСТ 17616-82 на территории РФ) |
Вторая редакция НИИИС им. Лодыгина |
|
|
31. |
Светобиологическая безопасность ламп и ламповых систем, |
Разработка ГОСТ Р МЭК Прямое применение МЭК 62471 |
Первая редакция НИИИС им. Лодыгина |
|
|
32. |
Освещение искусственное зданий железнодорожных вокзалов. Нормы и методы контроля |
Разработка ГОСТ |
Вторая редакция ВНИИЖТ |
|
|
33. |
Метрополитены |
Разработка СНиП |
Вторая редакция ОАО ЦНС |
|
Таблица 6.
|
|
В программе работ по стандартизации |
|
|
№ № п/п |
Наименование проекта |
Вид выполняемых работ |
|
34. |
Приборы осветительные. Требования энергоэффективности. |
Разработка ГОСТ Р … |
|
35. |
Приборы осветительные. Методы оценки энергоэффективности |
Разработка ГОСТ Р … |
|
36. |
Светодиодные источники света. Светотехнические требования и методы испытаний |
Разработка ГОСТ Р … С учетом CIE TC2-46, CIE TC2-50, CIE TC2-58; ANSI C78.377-2008, CIE 177-2007 (TC1-62) и CIE TC1-69 |
|
37. |
Светодиодные источники света. Требования к ресурсу и его определение |
Разработка ГОСТ Р ... С учетом материалов IESNA TM-21 и IES LM 80-08 |
|
38. |
Светильники. Эксплуатационные требования по экодизайну и методы испытаний |
Разработка ГОСТ Р … Применение директив в части эксплуатационных требований по экодизайну ЕС244/2009, ЕС245/2009, EQV |
|
39. |
Модули светоизлучающих диодов для общего освещения. Требования безопасности |
Разработка изменения к ГОСТ Р МЭК 62031-2009 Прямое применение изменения № 1 МЭК 62031(2008) MC-IDT |
|
40. |
Изменение ГОСТ Р 513.3.2 – 2006 (МЭК 61000-3-2:2005) Совместимость технических средств электромагнитная. Эмиссия гармонических составляющих тока техническими средствами с потребляемым током не более 16 А (в одной фазе). Нормы и методы испытаний. |
Разработка изменения Изменение ГОСТ Р 513.3.2 – 2006 (МЭК 61000-3-2:2005) для учета особенностей установления требований к инжекции гармонических токов в сеть и методов испытаний светового оборудования со светодиодными источниками света |
|
41. |
Совместимость технических средств электромагнитная. Радиопомехи индустриальные от электрического светового и аналогичного оборудования. Нормы и методы испытаний. |
Разработка ГОСТ Р взамен ГОСТ Р 51318.15-99 (СИСПР 15-96). Прямое применение на основе международного стандарта СИСПР 15:2009 с учетом особенностей установления требований к индустриальным радиопомехам и методов испытаний светового оборудования со светодиодными источниками света. |
|
42. |
Совместимость технических средств электромагнитная. Помехоустойчивость светового оборудования общего назначения к электромагнитным помехам. Требования и методы испытаний |
Разработка ГОСТ Р взамен ГОСТ Р 51514-99 (МЭК 61547-95). Прямое применение на основе международного стандарта EQV. IEC 61547:2009 с учетом особенностей установления требований и методов испытаний светового оборудования со светодиодными источниками света. |
|
43. |
Системы управления осветительными установками. Технические требования. |
Разработка ГОСТ Р |
|
44. |
Системы управления осветительными установками. Методы испытаний. |
Разработка ГОСТ Р |
|
45. |
Модули светодиодные для общего освещения. Эксплуатационные требования. |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение МЭК/PAS 62717(2011). |
|
46. |
Лампы светодиодные с цоколем без встроенного устройства управления. Часть 1. Требования безопасности |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение проекта 34A/1399/CD (2010-07) МЭК 62663-1. |
|
47. |
Лампы светодиодные с цоколем без встроенного устройства управления. Часть 2. Эксплуатационные требования. |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение проекта 34/А/1353/NP (2009-06) МЭК 62663-2. |
|
48. |
Светодиоды. Часть 1. Общие требования к бинированию и к сетке координат цветности для белых светодиодов. |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение стандарта МЭК/ PAS 62707-1 (2011) изд.2. |
|
49. |
Светильники. Часть 1. Общие требования к характеристикам |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение МЭК/PAS 62722-1 (2011). |
|
50. |
Светильники. Часть 2-1. Частные требования к характеристикам для светильников со светодиодными модулями. |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение МЭК/PAS 62722-2-1 (2011). |
|
51. |
Светильники. Определение кодов IК МЭК 62262. Разработка ГОСТ Р. |
Прямое применение МЭК/TR 62696 (2011). Примечание. Стандарт охватывает вопросы использования энергоэффективных источников света и осветительных приборов, в т.ч. и на основе светодиодов. |
|
52. |
Установки аварийного освещения. Светотехнические требования. |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение МС с дополнением EN 1838:1999. |
|
53. |
Установки утилитарного наружного освещения дорог и туннелей. Методы фотометрических измерений. |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение МС с дополнением МКО 194:2011. |
|
54. |
Установки аварийного освещения в туннелях. Светотехнические требования. |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение МС с дополнением МКО 193:2010. |
|
55. |
Установки внутреннего освещения. Методы расчета показателя дискомфорта UGR и представление данных. |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение МС с дополнением МКО 190:2010. |
|
56. |
Установки освещения дорог и пешеходных зон. Светотехнические требования. |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение МС с дополнением МКО 115:2010. |
|
57. |
Установки осветительные. Термины и определения |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение МС с дополнением EN 12665:2011. |
|
58. |
Источники света и приборы осветительные. Часть 1. Методы светотехнических измерений и формат представления данных. |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение МС с дополнением EN 13032-1:2004/AC:2005 |
|
59. |
Источники света и приборы осветительные. Часть 2. Формат представления данных для освещения рабочих мест. |
Разработка ГОСТ Р. Прямое применение МС с дополнением EN 13032-2:2004/AC:2007. |
Мероприятия по развитию территориальных инноваций кластеров
В 2012 году проект территориально – производственный кластер «Энергосберегающая светотехника и силовая преобразовательная техника» в Республике Мордовия при поддержке ТП «Развитие российских светодиодных технологий» прошел конкурс МЭР и вошел в число 13 отобранных для реализации в 2013 году. Активное участие в подготовке кластера принимает ОАО «Электровыпрямитель» - член платформы.
Совершенствование таможенного администрирования
Мнение и предложения членов ТП «Развитие российских светодиодных технологий» были учтены при формировании перечня экологических товаров АТЭС, в отношении которых будут снижены ввозные таможенные пошлины до 5% до конца 2015 года. Светодиодные лампы и осветительное оборудование, несмотря на активную позицию и заинтересованность торговых партнёров, прежде всего Японии, Китая, Кореи и США, были исключены из итогового перечня экологических товаров АТЭС.
Содействие подготовке и повышению квалификации научных и инженерно-технических кадров
Группа компаний «Оптоган» и НИУ ИТМО объединили усилия для подготовки специалистов в области СИД технологий. Уникальность разработанной образовательной программы заключается в том, что она является пилотной, и в результате другие ВУЗы будут равняться именно на эту программу. Помимо этого, неоспоримым преимуществом по сравнению с другими программами магистерского образования, является то, что магистра вовлекают процесс высокотехнологичного производства, а также в находящиеся на переднем крае науки НИР и НИОКР. Проект реализуется при поддержке Фонда образовательных программ РОСНАНО и предназначен для подготовки магистров в областях исследования и производства светоизлучающих наноструктур согласно квалификационным требованиям Федерального государственного образовательного стандарта по направлению 200400 «Оптотехника». До настоящего момента в области светодиодных технологий, как следует из информации с сайта РОСНАНО, были лишь программы переподготовки и повышения квалификации, что гораздо проще, чем подготовить высококвалифицированного специалиста специально для данной отрасли.
Важной особенностью реализуемой образовательной программы является то, что значительная часть времени уделена практической работе преподавателей со студентами и лабораторному практикуму. В таких условиях студент сможет лучше изучить сложности производства, почувствовать будущие новые и перспективные направления.
Реализуемая образовательная программа состоит из трех модулей. Два модуля являются обязательными для изучения: «Физические основы материалов и веществ, используемых в светодиодной технологии» и «Излучение и оптика светодиодов». Дисциплины третьего модуля являются варьируемыми «Тепловые поля и оптические приборы».
Первый модуль, обязательный к изучению - «Физические основы материалов и веществ, используемых в светодиодной технологии» формируется тремя учебными курсами: физическое материаловедение светодиодных наноматериалов, рост и физические свойства кристаллов, технология изготовления эпитаксиальных наноструктур.
Второй модуль, обязательный к изучению – «Изучение и оптика светодиодов». Модуль рассматривает оптические свойства твердых тел: квантоворазмерные эффекты и их применение в оптике; светотехнику и фотометрию светодиодных излучателей; приборы и методы исследования фотоники.
Третий, варьируемый модуль – «Тепловые поля и оптические приборы» содержит в себе курсы, направленные на воспитание у студентов умения предвидеть возможную практическую реализацию идей излучающих наноструктур и приобретение навыков контроля тепловых и световых полей излучающих светодиодов и приборов на их основе.
По завершению подготовки выпускники НИУ ИТМО будут способны разрабатывать и исследовать процессы выращивания светоизлучающих наноструктур, изготавливать чипы на их основе, и изучать их свойства с применением самых современных методов диагностики, разрабатывать и эксплуатировать приборы твёрдотельного освещения. Образовательная программа имеет модульную структуру и спланирована таким образом, чтобы охватить весь цикл создания твёрдотельных излучателей от синтеза наноструктур и до производства СИД светильников и интеллектуальных систем освещения на их основе. В рамках программы магистранты приобретут навыки научно-исследовательской и научно-педагогической работы, а также проектной, производственно-технологической и организационно-управленческой деятельности.
Реализации образовательной программы будет проходить в четыре этапа. На первом этапе будет разработана программа профессиональной подготовки и весь учебно-методического комплекса по всем дисциплинам (УМК). На втором этапе будет проводиться пилотная реализация (апробация) разработанной образовательной программы на группе магистров из 15 человек. 1 год обучения студентов (15 человек). На третьем этапе до 1 июля 2015 года будет проводиться пилотная реализация образовательной программы 2 год обучения студентов. После апробации образовательной программы в течение полу года будет проводиться её доработка, для размещения в электронном реестре Фонда РОСНАНО.
Также продолжает свою работу созданная базовая магистерская кафедра «Светодиодных технологий», организованная на базе ЗАО «Оптоган» в составе факультета «Оптико-Информационных Систем и Технологий». Кафедра СТ является учебно-научным структурным подразделением, которое проводит учебную, научно-методическую и научно-исследовательскую работу, осуществляет подготовку кадров и повышение их квалификации. Направления обучения на кафедре – оптотехника и техническая физика. Заведует кафедрой Светодиодных технологий генеральный директор завода «Оптоган» в Санкт-Петербурге и исследовательского центра «Оптоган» в Финляндии Бугров Владислав Евгеньевич.
Основными задачами кафедры СТ являются:
· Разработка и реализация совместно со смежными кафедрами НИУ ИТМО программ целевой подготовки магистров и аспирантов, докторантов;
· Обучение магистров по направлению 200400 «Оптотехника», магистерская программа 200400.68 «Светодиодные технологии»;
· Подготовка аспирантов по специальностям 01.04.05 «Оптика», 05.11.07 – «Оптические и оптоэлектронные приборы и комплексы», 01.04.14 «Теплофизика и теоретическая теплотехника», 01.02.04 «Механика деформируемого твердого тела»;
· Организации и проведения в лабораториях компании «Оптоган» производственной и преддипломной практик магистрантов и написание диссертационных работ;
· Привлечение к учебному процессу университета высококвалифицированных сотрудников компании «Оптоган»;
· Подготовка предложений и организация стажировок в компании «Оптоган» студентов, аспирантов и преподавателей Университета;
· Подготовка предложений и выполнение совместных с НИУ ИТМО научных работ и инновационных проектов по созданию теоретической и практической базы полупроводниковых оптоэлектронных структур и приборных устройств:
- эффективных полупроводниковых светоизлучающих структур (чипов)
- оптических систем для чипов и светодиодов (первичной и вторичной оптики)
- современной технологии производства полупроводниковых чипов и светодиодов на
их основе
- интегрированных светодиодных оптических систем
- энергосберегающих осветительных систем на основе светодиодных технологий
- программного обеспечения для интеллектуальных светодиодных источников света
- методов и приборов контроля качества выпускаемой продукции, в том числе методов
и приборов контроля светотехнических параметров и характеристик.
Кроме того, члены ТП Некоммерческое партнерство Производителей Светодиодов и Систем на их основе (НП ПСС) и «Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва» (ФГБОУ ВПО «МГУ им. Н.П. Огарёва») заключили договор об информировании, обучении и повышении квалификации в области энергосбережения и повышения энергоэффективности через современные системы освещения на базе светодиодов.
Развитие научной и инновационной инфраструктуры
Программа развития кластера «Энергосберегающая светотехника и силовая преобразовательная техника» в Республике Мордовия подразумевает реализацию в 2012-2016 годах ряда инвестиционных проектов на сумму порядка 9,6 млрд. руб. Проекты направлены, прежде всего, на развитие светодиодных технологий, электронной компонентной базы, систем управления освещением. Кроме того, значительные инвестиции будут направлены в инфраструктурные проекты, среди которых приоритетным является создание специализированного индустриального парка.
Развитие коммуникации в научно-технической и инновационной сфере
Участники техплатформы выступили с докладами на ряде международных конференций, в числе которых:
1. International Conference on Extended Defects in Semiconductors (24-29 июня 2012,Салоники, Греция);
2. 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides High-quality III-nitride templates with overgrown porous structure (16-19 июля 2012, Санкт-Петербург, Россия);
3. 9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (22-27 июля 2012, Берлин, Германия);
4. IX Международная конференция «Прикладная оптика - 2012» (15-19 октября, Санкт-Петербург, Россия);
5. 6th International Conferenceon Multiscale Materials Modeling (15-19 октября, Сингапур).
Содействие экспорту
По инициативе группы предприятий – производителей светодиодной светотехники, членов ТП, в 2012 году на крупнейшей мировой светотехнической выставке «Light & Building», проходившей с 15 по 20 апреля во Франкфурте на Майне впервые организован национальный коллективный стенд «LED Russia».
На открытии 6-ого Московского международного Форума «Светодиоды в светотехнике» подписан Меморандум о сотрудничестве между российским Некоммерческим партнёрством Производителей Светодиодов и Систем на их основе (НП ПСС) и украинской Ассоциации производителей светодиодной техники (АВСТ). НП ПСС и АВСТ – это единственные отраслевые объединения производителей светодиодной продукции в России и Украине соответственно.
Основные положения Меморандума включают информационную помощь по национальным нормативно-правовым документам, обмен информацией о рынке, делегирование представительских полномочий в международных организациях, содействие обмену специалистами, программами обучения и подготовки кадров и т.д. Меморандум открыт для присоединения других сторон.
Информационные мероприятия
Членами ТП «Развитие российских светодиодных технологий» в 2012 году были подготовлены и проведены:
- Совместно с организатором выставки LED Tech Expo, членом ТП ООО Примэкспо проведена 1 –я международная Конференция «Светодиоды: чипы, продукция, материалы, оборудование» Развитие отрасли невозможно без площадок для коллективного обмена мнениями и информацией, значимой для всех участников рынка. По мере увеличения числа компаний, работающих в отрасли и по мере увеличения глубины переработки от сборки светильников к производству светодиодов, потребовалась специальная площадка для фокусирования внимания на самом процессе производства светодиодов, на чипах, материалах корпусирования, на процедурах контроля качества и самих светодиодов и компонентов их составляющих, на оборудовании для производства.
- Совместно с организатором выставки Интерсвет, ООО Мессе Франкфурт Рус проведен 6-й Международный светодиодный Форум «Светодиоды в светотехнике» - крупнейшая в СНГ и Восточной Европе конференция по светодиодам. Представители отрасли были ознакомлены с последними достижениями ведущих компаний и научных центров. Проведены три круглых стола: «Энергосервис в освещении», «Сертификация продукции. Добровольно или принудительно?», «Оценки СД рынка России - проблемы методик исследования и доверия участников».
- При поддержке НП ПСС прошел 3-й ежегодный Семинар «Источники питания для светодиодной техники. Экономические и технические вопросы». Мероприятия проведено в рамках деловой программы выставки «Силовая электроника».
- Член ТП, Светотехнический факультет Национального исследовательского Мордовского государственного университета имени Н.П. Огарева провел 13 – 14 декабря 2012 года X Международную научно-техническую конференцию «Проблемы и перспективы развития отечественной светотехники, электротехники и энергетики». В работе конференции приняли участие специалисты Мордовии, Поволжья и других регионов России.
- ТП провела презентационные мероприятия с 31 октября по 2 ноября в ЦВК «Экспоцентр», на Форуме «Открытые инновации, в рамках Отраслевого направления «Фотоника» Программы Консультационного центра Российского Фонда Технологического Развития.
По материалам ОАО «Роснано»
