Технологическая платформа «Развитие российских светодиодных технологий» была создана в соответствии с Протоколом президиума Правительственной комиссии по инновациям от 3 марта 2011 года.
Целью функционирования Платформы является развитие в России нового направления промышленности, основанного на нанотехнологиях: массового производства светодиодов и светотехнических устройств на их основе. Развитие светодиодной промышленности обеспечит сохранения за Россией приоритета в части данной технологии, создание новой экспортно-ориентированной отрасли, значительную экономию электроэнергии, а также ресурсов, являющихся топливом при выработке электроэнергии.
Повсеместное применение светодиодного освещения обеспечит радикальное сокращение затрат электроэнергии на освещение. Только экономия на создании электрических мощностей составит не менее 124 млрд. рублей и сэкономит более 2,5 ГВт электроэнергии. Одновременно будет обеспечена экономия невозобновляемых природных ресурсов, являющихся топливом при выработке электроэнергии, уменьшение нагрузки на энергогенерирующие станции, сокращение выбросов CO2 в атмосферу. При этом освобождающиеся энергетические мощности можно будет либо использовать в других областях экономики, либо экспортировать.
Отдельно необходимо упомянуть про ожидаемое резкое снижение затрат на сопутствующую инфраструктуру электроэнергетики в связи с резким (до 10 раз) снижением требований к потребляемой мощности при равном количестве света.
Задачами технологической платформы являются:
· Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей;
· Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения;
· Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения;
· Объединение усилий органов государственной власти, научных и производственных учреждений для обеспечения технологической, правовой, финансовой, административной и информационной основы развития светодиодной промышленности;
· Развитие спроса на светодиодные технологии и формирование цивилизованного рынка;
· Наращивание объемов экспорта светодиодной продукции.
В технологической платформе зарегистрировалось 30 организаций, из них:
Научные организации (ВУЗы и НИИ)- 13 участников
Производители светодиодов и светотехники- 10 участников
Таблица 1. Иные организации (сокоординаторы, НП, коммерческие организации)
|
№ п/п |
Название организации |
Адрес |
Контактное лицо |
|
1 |
ОАО «РОСНАНО» |
117036, г. Москва, пр-т 60-летия Октября, 10А |
Поликарпов Сергей Сергеевич, управляющий директор |
|
2 |
ОАО «Российская электроника» |
127299, г. Москва, ул. Космонавта Волкова, д. 12 |
Старцев Сергей Анатольевич |
|
3 |
ООО «Световые Технологии» |
127273, г. Москва, ул. Отрадная, 2Б, стр. 2 |
Аникин Алексей Петрович, руководитель направления «светодиодное освещение» |
|
4 |
Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. Академика Е.И. Забабахина |
456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13, а. я. 245. |
Водолага Борис Константинович, заместитель директора |
|
5 |
ОАО «Альметьевский завод «Радиоприбор» |
423400, Россия, Татарстан, г. Альметьевск, пр-т. Строителей, 2 |
Гульков Владимир Викторович, заместитель генерального директора по развитию и инвестициям |
|
6 |
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В.И. Ульянова |
197376, Санкт-Петербург, улица Профессора Попова, дом 5 |
Зубков Василий Иванович, д.ф-м.н., профессор кафедры микроэлектроники |
|
7 |
ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника» |
194156, Санкт-Петербург, пр. Энгельса, дом 27 |
Заместитель генерального директора по научной и проектной работе |
|
8 |
ЗАО «Оптоган» |
198205 Санкт-Петербург, Таллинское шоссе, д.206 |
Лысенков Илья Сергеевич, начальник отдела программ инновационного развития |
|
9 |
ООО «Ната-Инфо» |
424007, Россия, Республика Марий Эл, г. Йошкар-Ола, ул. Прохорова, 28 |
Максимов Владимир Валентинович |
|
10 |
ООО «Люмина» |
623281, Россия, Свердловская область, г. Ревда, ул. Некрасова, д.111 |
Маханов Алексей Александрович |
|
11 |
ООО «Филипс» |
119048 Москва, ул. Усачева, д. 35 |
Сябренко Елена Михайловна, директор по стратегии и развитию бизнеса |
|
12 |
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН |
194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26 |
Устинов Виктор Михайлович, заместитель директора |
|
13 |
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики |
197101, Санкт-Петербург, пр. Кронверкский, д.49. |
Толстикова Анна Александровна, начальник отдела по работе с технологическими платформами |
|
14 |
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники |
634050, г. Томск, пр. Ленина, 40 |
Авдзейко Владимир Игоревич, заместитель начальника научного управления |
|
15 |
ОАО ЦНИИ «Циклон» |
107497 Москва, Щелковское шоссе, 77 |
Солодков Алексей Аркадьевич |
|
16 |
ОАО «Плазма» (НИИ газоразрядных приборов) |
390023, Россия, г. Рязань |
Кукса Александр Анатольевич |
|
17 |
ФГУП «Государственный завод «Пульсар» |
105187, Москва, Окружной проезд, д. 27 |
Рахмилевич Рафаил Борисович |
|
18 |
ФГУП «НИИ вакуумной техники им С.А. Векшинского» |
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7. |
Калачев Эдуард Владимирович |
|
19 |
ФГОУ ВПО «Мордовский государственный университет имени Огарева» |
430005 Республика Мордовия, г. Саранск, ул. Б. Хмельницкого д. 39, к. 307 |
Ашрятов Альберт Аббясович |
|
20 |
ФГОУ ВПО «Дальневосточный Федеральный университет» |
690950, г. Владивосток, ул. Суханова д. 8 |
Пастухов Павел Олегович |
|
21 |
НП Производителей светодиодов и систем на их основе |
194135, Санкт-Петербург, пр. Энгельса, дом 27 |
Долин Евгений Владимирович |
|
22 |
ПО «Электроточприбор» |
Россия, 644042, г. Омск, пр. К. Маркса, 18 |
|
|
23 |
ОАО «Электровыпрямитель» |
430001, Россия, Мордовия, |
Елисеев Вячеслав Васильевич |
|
24 |
Российский химико-технологический университет им. Менделееева |
125047, Москва, пл. Миусская, 9 |
Гордеев Михаил, помощник ректора |
|
26. |
ООО «Оптоган. Новые технологии света» |
198025, г. Санкт-Петербург, Старо-Паново, Таллинское шоссе д.206 |
Краузе Юлия Аркадьевна |
|
26. |
ООО «Совершенные кристаллы» |
198025, г. Санкт-Петербург, Старо-Паново, Таллинское шоссе д.206 |
Николаев Владимир Иванович |
|
27. |
ГИРЕДМЕТ |
119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д.5 |
Пархоменко Юрий Николаевич |
|
29. |
Томский государственный университет |
634050, г. Томск, пр. Ленина, 36 |
Маковеева Виктория Владимировна |
|
30. |
ОАО «Миасский машиностроительный завод» |
456320, Челябинская область, Миасс, Тургоякское шоссе, 1 |
Трифонов Н.Н. |
Создание организационной структуры технологической платформы
Председателем технологической платформы является С.С. Поликарпов. Согласно распоряжению координатора технологической платформы № 10/1-Р от 1 марта 2012 года, также были созданы органы управления технологической платформой «Развитие российских светодиодных технологий»:
Рисунок 1. Схема оргацизационной структуры технологической платформы
Разработка стратегической программы исследований.
- Сформированы предложения по 6 тематикам исследований в рамках ФЦП «Исследования и разработки»;
- Рассмотрены все обращения Минэкономразвития и проанализированы все предложения по включению тематик технологической платформы в проекты государственных программ.
1) «Разработка ап- и даун-конвертеров инфракрасного и ультрафиолетового излучения на основе наностеклокерамик для повышения эффективности солнечных батарей».
2) «Новые неорганические люминофоры на основе стекол и наностеклокерамик для энергоэффективных светодиодных источников белого света».
3) «Энергоэффективные люминофоры на основе наноструктурированных неорганических материалов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов, для светодиодов белого света».
Была проведена работа по сбору и рассмотрению предложений участников ТП на формирование заявок на проведение исследований в области светодиодных технологий в рамках ФЦП «Исследования и разработки».
ТП направила в адрес Министерства образования и науки РФ 6 заявок на формирование тематики исследований, на основе которых был объявлен лот «Выполнение поисковых научно-исследовательских работ по теме: «Исследование и разработка перспективных материалов для энергосберегающих светодиодных технологий». На данный лот было подано 23 заявки от ведущих ВУЗов и научных центров страны.
Это говорит об очень высоком интересе научного сообщества к светодиодной тематике. Основной привлекательной чертой светодиодной технологии является принципиально более высокий по сравнению с альтернативами уровень светоотдачи, что способно привести к целому ряду экономических и социальных эффектов, важнейший из которых – радикальное сокращение затрат электроэнергии на освещение, составляющих по различным оценкам до 18-20% всех затрат произведенной электроэнергии
Таблица 2. Тематический план работ и проектов ТП «Развитие российских светодиодных технологий» в сфере исследований и разработок
|
№ п/п |
Наименование и цель проекта |
Этапы и сроки реализации проекта, |
Задачи проекта (этапа) |
Ожидаемые результаты |
Вклад в решение задач ТП |
|
|
1 |
Белые светодиоды на основе синих светодиодных кристаллов с люминофорными покрытиями: улучшение характеристик белых светодиодов и снижение их стоимости. |
Этап 1 до 2015 года
|
Разработка дизайна эпитаксиальных структур и режимов эпитаксиального роста. |
Технологии, позволяющие выращивать эпитаксиальные слои GaN и гетероструктуры InGaN/GaN или AlGaN/GaN на сапфировых подложках с особо низким количеством ростовых дефектов (дислокаций) и низким уровнем внутренних механических напряжений. Технологии создания гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами AlGaN/InGaN/GaN. |
Создание на современном уровне технологической основы отрасли по производству светодиодной продукции. Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения. Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения. |
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Разработка технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на сапфировых подложках большого диаметра (6-8 дюймов). |
То же на подложках большего диаметра. |
||||
|
Этап 3 до 2015 года |
Разработка новых решений, позволяющих повысить эффективность отвода тепла от светоизлучающего кристалла. |
Конструкции светодиодов с повышенной эффективностью, КПД и рабочей плотностью тока. |
||||
|
Этап 4 до 2015 года |
Разработка методов увеличения вывода света из светодиода. Включает в себя: – изготовление профилированных подложек сапфира и эпитаксиальный рост светодиодных структур на профилированных подложках; – разработку методов отделения подложки сапфира и изготовление светодиодов; – применение технологии фотонных кристаллов. |
Методы увеличения вывода света из светодиода на основе профилирования подложек и эпитаксиального роста на них с дальнейшим отделением подложки для повторного использования. |
||||
|
Этап 5 до 2015 года |
Разработка люминофоров с улучшенной эффективностью и спектральными характеристиками. |
Рецептура и технология производства люминофоров. |
||||
|
|
|
Этап 6 до 2015 года. |
Технология выращивания светодиодных эпитаксиальных структур на полярных и полуполярных подложках, приготовленных из объемного GaN. |
Минимизация или полное исключение падения эффективности излучения с ростом плотности инжекционного тока вплоть до значений, превышающих 100 А/см2. Технология изготовления светодиодов с большой эффективностью при больших плотностях рабочего тока. |
|
|
|
2 |
Гибридные многокристальные белые светодиоды (RGB, RGAB, RGBW): улучшение качества белого цвета и управление цветовыми характеристиками. |
Этап 1 до 2015 года |
Разработка технологии светодиодов желто-зеленого диапазона длин волн (540-580 нм), отсутствующих в настоящее время на рынке. |
Технология производства светодиодов желто-зеленого диапазона длин волн (540-580 нм). |
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения. Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения. |
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Разработка технологии эпитаксиального роста красных светодиодов (600-700 нм) на основе системы материалов AlInGaP, не выпускаемых на территории РФ. |
Технология эпитаксиального роста красных светодиодов (600-700 нм) на основе системы материалов AlInGaP. |
||||
|
Этап 3 до 2015 года |
Разработка технологии эпитаксиального роста красных светодиодов (600-620 нм) на основе III-N соединений, не существующих в мире. |
Технология эпитаксиального роста красных светодиодов (600-620 нм) на основе III-N соединений. |
||||
|
Этап 4 до 2015 года |
Разработка дизайна и технологии сборки многокристальных гибридных светодиодов с эффективным смешением цветов, выводом излучения и отводом тепла. |
Технология сборки многокристальных гибридных светодиодов. |
||||
|
3 |
Монолитные и монолитно-гибридные белые светодиоды (светодиоды, в которых кристаллы излучают более чем на одной длине волны): улучшение качества белого цвета и управление цветовыми характеристиками. |
Этап 1 до 2015 года |
Разработка дизайна и технологии эпитаксиального роста монолитных светодиодных структур на основе III-N соединений для светодиодов белого света, содержащих 2-4 слоя InGaN, излучающих при различных длинах волн и образующих при смешении белый свет. |
Технология эпитаксиального роста монолитных светодиодных структур на основе III-N соединений для безлюминофорных светодиодов белого света. |
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения.
Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения. |
|
|
Этап 2 до 2015 года
|
Разработка дизайна и технологии эпитаксиального роста светодиодных структур для монолитно-гибридных источников белого света, содержащих 2-4 слоя InGaN, излучающих при различных длинах волн, и образующих белый свет при смешении со светом, излучаемым другими кристаллами или люминофорами. |
Технология эпитаксиального роста монолитных светодиодных структур для монолитно-гибридных источников белого света на основе III-N соединений, образующих белый свет при смешении со светом, излучаемым другими кристаллами или люминофорами. |
||||
|
Этап 3 до 2015 года |
Разработка управляемых монолитных источников белого света с изменяемыми цветовыми характеристиками. |
Технология производства управляемых монолитных источников белого света с изменяемыми цветовыми характеристиками. |
||||
|
4 |
Интегрированные светодиодные модули для энергосберегающих профессиональных осветительных систем. |
Этап 1 до 2015 года |
Разработка систем по технологии chip-on-board.
|
Технология производства высокоэффективных интегрированных светодиодных матричных модулей, реализованных по принципу «чип-на-плате», предназначенных для создания энергосберегающих осветительных систем нового поколения. |
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения. Коммерциализация нового продукта. |
|
|
5 |
Разработка полупроводниковых нитридных технологий на кремниевой подложке для приборов оптоэлектроники и микроэлектроники. Разработка технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках: снижение стоимости изделий и возможность интеграции с микроэлектронными чипами. |
Этап 1 до 2015 года |
Разработка технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках. |
Технология эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках. |
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения. Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения. |
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Разработка технологии химического отделения светодиодной структуры от кремниевой подложки с последующим матированием для повышения эффективности вывода света. |
Технология химического отделения светодиодной структуры от кремниевой подложки. |
|
|||
|
Этап 3 до 2015 года |
Разработка технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках большого диаметра (6-8 дюймов) и последующего химического отделения подложек. |
Технология эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках большого диаметра (6-8 дюймов) и последующего химического отделения подложек. |
|
|||
|
6 |
Создание отечественного эпитаксиального оборудования для эпитаксиального выращивания III-N материалов. |
Этап 3 до 2015 года |
Создание линейки учебного, лабораторного и промышленного эпитаксиального оборудования, объединенного общими приемами работы и переносимостью технологии. |
Конструкторская и технологическая документация на оборудование. Опытные действующие установки. |
Экспортозамещение дорогостоящего высокотехнологичного оборудования. |
|
|
7 |
Светодиодные решения для медицинских применений. Разработка светодиодов ультрафиолетового диапазона: экология, очистка воды и т.д. |
Этап 1 до 2015 года |
Разработка дизайна и технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений для диапазона длин волн 250-300 нм |
Технология эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений для диапазона длин волн 250-300 нм. |
Развитие спроса на светодиодные технологии
Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей. |
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Разработка конструкции чипа светодиода. |
Чертежи и опытные образцы чипов. |
|
|||
|
Этап 3 до 2015 года |
Разработка конструкции и технологии корпусирования ультрафиолетовых светодиодов и светодиодных матриц. |
Технология корпусирования ультрафиолетовых светодиодов и светодиодных матриц. |
|
|||
|
8 |
Электроника и оптоэлектроника на основе органических материалов. |
Этап 1 до 2015 года |
Разработка архитектуры, при которой внешний квантовый выход структуры был бы максимальным при малом напряжении питания, достаточном сроке службы и стабильном белом свете. |
Лабораторный образец со светоотдачей минимально 50 лм/Вт |
Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей.
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения.
|
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Разработка материалов, обладающих высокой внутренней квантовой эффективностью, низким напряжением питания и позволяющих увеличить срок службы устройства. |
Рецептура и технология производства обладающих высокой внутренней квантовой эффективностью, низким напряжением питания материалов. |
|
|||
|
Этап 3 до 2015 года |
Разработка методов и программ имитационного моделирования работы OLED с учетом свойств материалов, особенностей архитектуры и работы OLED. |
Программы имитационного моделирования работы OLED. |
|
|||
|
Этап 4 до 2015 года |
Исследование надежности методами моделирования, а также оптимизация температурных характеристик материалов. Изучение причин отказов на уровне устройств. |
Разработки термо- и влагоустойчивых материалов и устройств для OLED. |
|
|||
|
Этап 5 до 2015 года |
Разработка подложек, не пропускающий влагу и кислород. Другие требуемые качества: технологичность и эксплуатационная стабильность, малые вес, стоимость, хорошие оптические свойства и гибкость. |
Технология герметизации OLED. |
|
|||
|
Этап 6 до 2015 года |
Разработка новых материалов для электродов. Разработка новых прозрачных электродов с низким удельным сопротивлением более низкой стоимости при возможности массового производства. |
Рецептура и технология прозрачных электродов. |
|
|||
|
Этап 7 до 2015 года |
Разработка новых практических методов для нанесения органических материалов, изготовления устройств, или герметизации |
Изготовление образца панели на основе интегрированных технологий производства и с возможностью создания панелей большой площади. |
|
|||
|
Этап 8 до 2015 года |
Разработка методов определения качества различных материалов и изучение взаимосвязи между качеством материалов и характеристиками OLED-прибора. |
Методы контроля качества материалов для производства OLED. |
|
|||
|
Этап 9 до 2015 года |
Разработка методов оптимизации светильника, проверки его надежности и ускоренных методов тестирования срока службы. |
Методы оценки надежности и ускоренного старения OLED светильников. |
|
|||
|
9 |
Разработка светодиодных светильников и систем управления. |
Этап 1 до 2015 года |
Интеллектуальные системы управления светодиодным освещением. |
Технология промышленного производства и массовое внедрение простых и доступных систем интеллектуального управления внутренним освещением. |
Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей.
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения. |
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Технологии производства светодиодных ламп замещения для массовых применений |
Создание общедоступных по цене, максимально эффективных и безотказных светодиодных ламп замещения на основе прорывных научных исследований. Качественный переход от отдельного светодиода (LED) к полностью интегрированной интеллектуальной осветительной схеме (ISLC – Integrated Smart LED Circuit). |
|
|||
|
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Разработка новых ресурсосберегающих светодиодных технологий для использования в растениеводстве в защищенном грунте. |
Разработка новых ресурсосберегающих светодиодных технологий для использования в растениеводстве в защищенном грунте. |
Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей. Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения. |
|
|
10 |
Исследования влияния новых источников света на организм человека. |
Этап 1 до 2015 года |
Оценка фотобиологической безопасности органических и неорганических светодиодных источников света для организма человека для различных возрастных групп. |
Методы оценки фотобиологической безопасности органических и неорганических светодиодных источников света для организма человека. Предложения по корректировке действующих нормативных документов. |
Развитие спроса на светодиодные технологии. Объединение усилий органов государственной власти, научных и производственных учреждений для обеспечения технологической, правовой, финансовой, административной и информационной основы развития светодиодной промышленности. |
|
|
Этап 2 до 2015 года |
Определение обоснованных норм освещенности, пульсаций, спектрального состава и блесткости для различных возрастных групп. |
Методы оценки качества освещения различных помещений и объектов. Предложения по корректировке действующих нормативных документов. |
|
|||
Развитие механизмов регулирования и саморегулирования.
В отрасли успешно функционирует и развивается Некоммерческое партнерство Производителей светодиодов и систем на их основе (НП ПСС). В настоящий момент в него входят 14 крупнейших производителей. В Партнерстве создан и ведет большую работу Комитет по стандартизации. Готовятся документы по созданию Системы добровольной сертификации светодиодной продукции. Партнерство актуализирует материалы Дорожной карты отрасли. Партнерство создает систему по мониторингу рынка светодиодных технологий на регулярной основе.
НП ПСС вступило в Технологическую платформу ОАО Роснано «Применение инновационных технологий для повышения эффективности строительства, содержания и безопасности автомобильных и железных дорог» и организовало кроссплатформенное взаимодействие для обеспечения внедрения светодиодного освещения, индикации и информационных средств на ЖТ и автодорогах.
В рамках этого взаимодействия ТП «Развитие российских светодиодных технологий» участвует в работе Рабочей группы ОАО РЖД по освещению. Проведен анализ нормативно правовой базы освещения ОАО РЖД и подготовлены рекомендации для ОАО РЖД и ФГУ «Главгосэкспертиза» по оценке проектов с использованием светодиодов.
ТП «Развитие российских светодиодных технологий» так же участвует в ФИИП «Инновационная дорога». Организована рабочая группа ФИИП по освещению. В состав группы вошли ведущие производители, головные проектные организации. Проведено два совещания, подготовлены предложения по внедрению инновационной продукции.
В конце 2012 года ТП «Развитие российских светодиодных технологий» вышло с инициативой в ТК 039 «Энергоэффективность, энергосбережение, энергоменеджмент» внесения в Программу развития национальных стандартов (ПРНС) разработку ГОСТ «Энергоэффективность и методы ее контроля для светодиодной продукции…»
Таблица 3. Результаты работы по стандартизации в 2012 году :
|
№ п/п |
Разработанные нормативы |
|
1. |
Вступил в силу с 01.01. 2011 ГОСТ 26824-2010 Здания и сооружения. Методы измерения яркости |
|
2. |
Вступил в силу 20.05.2011 СП 52.13330.2011. Свод правил. Естественное и искусственное освещение. Актуализированная редакция СНиП 23-05-95* |
|
3. |
Вступил в силу 01.07.2012 ГОСТ Р 54350-2011 Приборы осветительные. Светотехнические требования и методы испытаний Отменены с 01.07.2012 ГОСТ 6047-90 Прожекторы общего назначения. Общие технические условия, ГОСТ 7110-82 Светильники ручные. Общие технические условия, ГОСТ 8045-82 Светильники для наружного освещения. Общие технические условия, ГОСТ 8607-82 Светильники для освещения жилых и общественных помещений. Общие технические условия, ГОСТ 15597-82 Светильники для производственных зданий. Общие технические условия, ГОСТ 17677-82 Светильники. Общие технические условия |
|
4. |
Вступил в силу 01.07.2012 ГОСТ Р МЭК 60598-1-2011 Светильники. Часть 1. Общие требования и методы испытаний Взамен ГОСТ Р МЭК 60598-1-2003 |
|
5. |
Вступил в силу c 01.07.2012 ГОСТ Р МЭК 60838-2-2-2011 Патроны различные для ламп. Часть 2-2. Частные требования. Соединители для светодиодных модулей |
|
6. |
Вступил в силу c 01.07.2012 ГОСТ Р МЭК 61347-1-2011 Устройства управления лампами. Часть 1. Общие требования и требования безопасности |
|
7. |
Вступил в силу c 01.07.2012 ГОСТ Р МЭК 61347-2-13-2011 Устройства управления лампами. Часть 2-13. Частные требования к электронным устройствам управления, питаемым от источников постоянного или переменного тока, для светодиодных модулей |
|
8. |
Вступил в силу c 01.07.2012 ГОСТ Р МЭК 62384-2011 Устройства управления электронные, питаемые от источников постоянного или переменного тока, для светодиодных модулей. Рабочие характеристики |
|
9. |
Вступил в силу с 01.07.2012 ГОСТ Р 54814-2011 Светодиоды и светодиодные модули для общего освещения. Термины и определения |
|
10. |
Вступил в силу с 01.07.2012 ГОСТ Р МЭК 62560-2011 Лампы светодиодные со встроенным устройством управления для общего освещения на напряжения свыше 50 В. Требования безопасности |
|
11. |
Вступил в силу с 01.07.2012 ГОСТ Р 54815-2011/IEC/PAS 62612:2009 Лампы светодиодные со встроенным устройством управления для общего освещения на напряжения свыше 50 В. Эксплуатационные требования |
|
12. |
вступает в силу с 01.01.2013 ГОСТ Р 54943-2012. Здания и сооружения. Метод определения показателя дискомфорта при искусственном освещении помещений |
|
13. |
вступает в силу с 01.01.2013 ГОСТ Р 54945-2012. Здания и сооружения. Методы измерения коэффициента пульсации освещенности |
|
14. |
вступает в силу с 01.01.2013 ГОСТ Р 54944-2012. Здания и сооружения. Методы измерения освещенности |
|
15. |
Вступает в силу С 01.01.2013 ГОСТ Р МЭК 60079-35-1-2011 Головные светильники для применения в шахтах опасных по рудничному газу. Часть 1. Общие требования и методы испытаний, относящиеся к риску взрыва |
